Моя заявка (0)
N-Channel MOSFET, 160 A, 40 V PG-TO263-7-3 IPB160N04S4H1ATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030974650
Артикул
IPB160N04S4H1ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series:
xPB160N04
Fall Time:
33 ns
Rise Time:
22 ns
Цена по запросу
(от 340 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon optimos-T2 40V предназначен для управления всеми видами электродвигателей EPS, треxфазными двигателями и двигателями с Н-образным мостом, вентиляторами системы кондиционирования воздуxа, электрическими насосами и т.д.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Series:xPB160N04
Fall Time:33 ns
Rise Time:22 ns
Вес, г1
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypePG-TO263-7-3
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-263-7
Part # Aliases:IPB160N04S4-H1 SP000711252
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:137 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:167 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:28 ns
Maximum Drain Source Voltage40 V
Typical Turn-Off Delay Time:29 ns
Id - Continuous Drain Current:160 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Continuous Drain Current160 A
Rds On - Drain-Source Resistance:1.4 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А160
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0014 Ом

Техническая документация