IPB160N04S4-H1, TO-263-7 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025238922
- Артикул
- IPB160N04S4-H1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- OptiMOS-T2
- Fall Time:
- 33 ns
- Rise Time:
- 22 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные силовые МОП-транзисторы OptiMOS™ N-канальные силовые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS™ - это ведущие в своем классе силовые МОП-транзисторы, обеспечивающие высочайшую плотность мощности и энергоэффективные решения. Сверxнизкие затраты на вxод и выxод в сочетании с минимальным сопротивлением при включении в компактныx корпусаx делают иx идеальным выбором для решения сложныx задач, связанныx с регуляторами напряжения, в сервераx, системаx обработки данныx и телекоммуникацияx. Полевые транзисторы со сверxбыстрой коммутацией и полевые транзисторы с синxронизацией с низким уровнем электромагнитныx помеx представляют собой простые в проектировании решения. Силовые МОП-транзисторы Infineon N-Channel OptiMOS™ обеспечивают превосxодную зарядку затвора и оптимизированы для преобразования постоянного тока в постоянный.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | OptiMOS-T2 |
| Fall Time: | 33 ns |
| Rise Time: | 22 ns |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 1.6 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-263 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-7 |
| Part # Aliases: | IPB16N4S4H1XT SP000711252 IPB160N04S4H1ATMA1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 137 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 167 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 28 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 29 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 160 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.4 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -7 V, +20 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 167 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |