Моя заявка (0)
N-Channel MOSFET, 72 A, 220 V PG-TO 263-3 IPB156N22NFDATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8031012809
Артикул
IPB156N22NFDATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
15 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
15 ns
Цена по запросу
(от 2 040,42 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Быстрый диод Infineon OptiMOS напряжением 200 В, 220 В, 250 В и 300 В оптимизирован для жесткой коммутации корпусныx диодов.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:15 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:15 ns
Вес, г1
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypePG-TO 263-3
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSMD
Package/Case:D2PAK-3(TO-263-3)
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:IPB156N22NFD SP001624408
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:66 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:300 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:15 ns
Maximum Drain Source Voltage220 V
Typical Turn-Off Delay Time:45 ns
Id - Continuous Drain Current:72 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:60 S
Maximum Continuous Drain Current72 A
Rds On - Drain-Source Resistance:15.6 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:220 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В220
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А72
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация