N-Channel MOSFET, 72 A, 220 V PG-TO 263-3 IPB156N22NFDATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031012809
- Артикул
- IPB156N22NFDATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 15 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 15 ns
Цена по запросу
(от 2 040,42 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Быстрый диод Infineon OptiMOS напряжением 200 В, 220 В, 250 В и 300 В оптимизирован для жесткой коммутации корпусныx диодов.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 15 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 15 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | PG-TO 263-3 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | SMD |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IPB156N22NFD SP001624408 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 66 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 300 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 220 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 45 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 72 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 60 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 72 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 15.6 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 220 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 220 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 72 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |