IPB144N12N3G-VB, TO-263 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025238211
- Артикул
- IPB144N12N3G-VB
- Бренд
- Vbsemi Electronics Co., Ltd.
- Вес, г
- 1.4
- Корпус
- TO-263
- Структура
- MOSFET
- Power Dissipation (Pd)
- 3.75W
Цена по запросу
(от 200 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1.4 |
| Корпус | TO-263 |
| Структура | MOSFET |
| Power Dissipation (Pd) | 3.75W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 160nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 6.55nF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 120A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 265pF@25V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 107 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |