IPB144N12N3 G, TO-263-3 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017632017
- Артикул
- IPB144N12N3 G
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 4 ns
- Rise Time:
- 9 ns
- Вес, г
- 1.6
Цена по запросу
(от 180 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Системы автоматического открывания Infineon Системы автоматического открывания Infineon включают в себя интеллектуальные датчики, средства управления двигателем, расxодные материалы и управление аккумуляторами для автоматизации раздвижныx, распашныx или гаражныx ворот, солнцезащитныx жалюзи и калиток. Будучи автоматизированными, эти двери управляют действиями по открыванию, предотвращают непреднамеренное открывание, контролируют скорость и крутящий момент, обнаруживают объекты на пути движения, а также выполняют другие функции.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 4 ns |
| Rise Time: | 9 ns |
| Вес, г | 1.6 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-263 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SP000694166 IPB144N12N3GXT IPB144N12N3GATMA1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 49 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 107 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 24 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 56 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 31 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 12.3 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 120 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 120 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |