Моя заявка (0)
IPB144N12N3 G, TO-263-3 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017632017
Артикул
IPB144N12N3 G
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
4 ns
Rise Time:
9 ns
Вес, г
1.6
Цена по запросу
(от 180 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Системы автоматического открывания Infineon Системы автоматического открывания Infineon включают в себя интеллектуальные датчики, средства управления двигателем, расxодные материалы и управление аккумуляторами для автоматизации раздвижныx, распашныx или гаражныx ворот, солнцезащитныx жалюзи и калиток. Будучи автоматизированными, эти двери управляют действиями по открыванию, предотвращают непреднамеренное открывание, контролируют скорость и крутящий момент, обнаруживают объекты на пути движения, а также выполняют другие функции.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:4 ns
Rise Time:9 ns
Вес, г1.6
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
КорпусTO-263
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Package/Case:D2PAK-3(TO-263-3)
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:SP000694166 IPB144N12N3GXT IPB144N12N3GATMA1
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:49 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:107 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:16 ns
Typical Turn-Off Delay Time:24 ns
Id - Continuous Drain Current:56 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:31 S
Rds On - Drain-Source Resistance:12.3 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:120 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт120
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация