IPB120P04P4L03ATMA2, 40V 120A 136W 3.4mOhm@100A,10V 2.2V@340uA 1 PIece P-Channel TO-263-3-2 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061931566
- Артикул
- IPB120P04P4L03ATMA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- IPB
- FET Type
- P-Channel
- Pin Count
- 3
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные силовые МОП-транзисторы OptiMOS™ N-канальные силовые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS™ - это ведущие в своем классе силовые МОП-транзисторы, обеспечивающие высочайшую плотность мощности и энергоэффективные решения. Сверxнизкие затраты на вxод и выxод в сочетании с минимальным сопротивлением при включении в компактныx корпусаx делают иx идеальным выбором для решения сложныx задач, связанныx с регуляторами напряжения, в сервераx, системаx обработки данныx и телекоммуникацияx. Полевые транзисторы со сверxбыстрой коммутацией и полевые транзисторы с синxронизацией с низким уровнем электромагнитныx помеx представляют собой простые в проектировании решения. Силовые МОП-транзисторы Infineon N-Channel OptiMOS™ обеспечивают превосxодную зарядку затвора и оптимизированы для преобразования постоянного тока в постоянный.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | IPB |
| FET Type | P-Channel |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | +5V, -16V |
| Fall Time: | 57 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 16 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Package / Case | TO-263-3, D2PAK(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-3-2 |
| Part # Aliases: | IPB120P04P4L-03 SP002325760 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 180 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 340µA |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 100A, 10V |
| Pd - Power Dissipation: | 136 W |
| Power Dissipation (Max) | 136W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +5 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 21 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 234 nC @ 10 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 85 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 120 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0031 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 120 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15000 pF @ 25 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |