IPB120P04P4L03ATMA1, 40V 120A 136W 3.1mOhm@100A,10V 2.2V@340uA P Channel TO-263-3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070123164
- Артикул
- IPB120P04P4L03ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 9.25mm
- Series
- OptiMOS P
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1.6
Цена по запросу
(от 348,79 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
P-канальные МОП-транзисторы Infineon OptiMOS™ разработаны таким образом, чтобы обеспечить расширенные возможности и высокое качество исполнения.
Технические параметры
| Width | 9.25mm |
| Series | OptiMOS P |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.6 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 136 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 180 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 5.2 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 120 A |