Моя заявка (0)

Infineon N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V, 3-Pin D2PAK IPB120N10S405ATMA1

Infineon N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V, 3-Pin D2PAK IPB120N10S405ATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063764185
Артикул
IPB120N10S405ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Pin Count
3
Fall Time:
35 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 300 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 75 В до 100 В Infineon Technologies Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 75 В до 100 В соответствуют стандарту AEC-Q101 для применения в автомобилестроении. Эти модули доступны в широком ассортименте упаковок, включая D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) и SSO8 (TDSON-8). Эти МОП-транзисторы Infineon идеально подxодят для систем впрыска топлива, беспроводной зарядки в автомобиле и подсистемы питания C02 напряжением 48 В, снижающей выбросы вредныx веществ, известной как Board Net.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Pin Count3
Fall Time:35 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:10 ns
Вес, г1
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypeD2PAK(TO-263)
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Package/Case:D2PAK-3(TO-263-3)
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:IPB120N10S4-05 SP001102592
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:91 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1000
Pd - Power Dissipation:190 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:15 ns
Maximum Drain Source Voltage100 V
Typical Turn-Off Delay Time:30 ns
Id - Continuous Drain Current:120 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Continuous Drain Current120 A
Rds On - Drain-Source Resistance:5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.7 V

Техническая документация