OptiMOS-T2 Type N-Channel MOSFET, 120 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB120N08S404ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014553510
- Артикул
- IPB120N08S404ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- OptiMOS™-T2
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Длина
- 10 mm
Цена по запросу
(от 1 047,70 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка продуктов Infineon семейства OptiMOS -T2 расширяет существующие семейства OptiMOS -T и OptiMOS -аналогов.
Технические параметры
| Series | OptiMOS™-T2 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 10 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Высота | 4.4 mm |
| Корпус | TO-263 |
| Ширина | 9.25 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 35 ns |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Тип продукта | MOSFET |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Qg - заряд затвора | 95 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0041 O |
| Время нарастания | 10 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 120 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 179 W |
| Другие названия товара № | IPB120N08S4-04 SP000989094 |
| Id - непрерывный ток утечки | 120 A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.1 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 30 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 120 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |