OptiMOS -T2 Type N-Channel MOSFET, 120 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB120N08S403ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8057891197
- Артикул
- IPB120N08S403ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- OptiMOS T2
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 1 584,48 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Этот МОП-транзистор Infineon OptiMOS T2 прошел 100%-ное лавинное тестирование и соответствует требованиям RoHS. Он соответствует стандарту AEC Q101.
Технические параметры
| Series | OptiMOS T2 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Корпус | TO-263 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0025 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 120 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 120 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |