Моя заявка (0)

iPB Type N-Channel MOSFET, 120 A Enhancement TO-263 IPB120N06S403ATMA2

iPB Type N-Channel MOSFET, 120 A Enhancement TO-263 IPB120N06S403ATMA2

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030977017
Артикул
IPB120N06S403ATMA2
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
1
Channel Type
N
Package Type
PG-TO263-3-2
Корпус
TO-263
Цена по запросу
(от 667,59 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Infineon N channel OptiMOS обеспечивают превосxодный заряд затвора. Они обладают высочайшей пропускной способностью по току.

Технические параметры

Вес, г1
Channel TypeN
Package TypePG-TO263-3-2
КорпусTO-263
Power Dissipation167Вт
СтруктураN-Channel
ОсобенностиEnhancement Mode
КвалификацияAEC-Q101
Drain Source On State Resistance0.0023Ом
Maximum Continuous Drain Current120 A
Линейка ПродукцииOptiMOS-T2
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока120А
Рассеиваемая Мощность167Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263(D2PAK)
Максимальная Рабочая Температура175°C
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0023Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А120
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация