Моя заявка (0)

IPB120N04S401ATMA1, Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

IPB120N04S401ATMA1, Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001292198
Артикул
IPB120N04S401ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
HTS
8541.29.00.95
Tab
Tab
PPAP
Unknown
SVHC
Yes
Цена по запросу
(от 344 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

HTS8541.29.00.95
TabTab
PPAPUnknown
SVHCYes
EU RoHSCompliant with Exemption
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveYes
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed2
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Package Width9.25
Package Height4.4
Package Length10
EDA / CAD ModelsIPB120N04S401ATMA1 by Ultra Librarian
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageD2PAK
Process TechnologyOptiMOS
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO-263
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)36
Typical Rise Time (ns)16
Особенностиавтомобильные приложения
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)188000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)135
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)135@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)34
Maximum Drain Source Voltage (V)40
Typical Turn-Off Delay Time (ns)41
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)120
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)10770@25V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)1.5@10V
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)480
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А401
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В