IPB120N04S4-02, TO-263-3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017632015
- Артикул
- IPB120N04S4-02
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 30 ns
- Rise Time:
- 16 ns
Цена по запросу
(от 340,65 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
TO-263-3 МОП-транзистора ROHS
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 30 ns |
| Rise Time: | 16 ns |
| Вес, г | 1.7 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-263 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q100 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Part # Aliases: | IPB12N4S42XT SP000764726 IPB120N04S402ATMA1 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 134 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 158 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 27 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 180A |
| Id - Continuous Drain Current: | 120 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 158 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | - |