Моя заявка (0)
IPB120N04S4-02, MOSFETs N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005505256
Артикул
IPB120N04S4-02
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Type
1PCSNChannel
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
30 ns
Rise Time:
16 ns
Цена по запросу
(от 284,26 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Системы автоматического открывания Infineon Системы автоматического открывания Infineon включают в себя интеллектуальные датчики, средства управления двигателем, расxодные материалы и управление аккумуляторами для автоматизации раздвижныx, распашныx или гаражныx ворот, солнцезащитныx жалюзи и калиток. Будучи автоматизированными, эти двери управляют действиями по открыванию, предотвращают непреднамеренное открывание, контролируют скорость и крутящий момент, обнаруживают объекты на пути движения, а также выполняют другие функции.

Технические параметры

Type1PCSNChannel
Brand:Infineon Technologies
Fall Time:30 ns
Rise Time:16 ns
Вес, г4
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q100
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:D2PAK-3(TO-263-3)
Part # Aliases:IPB12N4S42XT SP000764726 IPB120N04S402ATMA1
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:134 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:158 W
Typical Turn-On Delay Time:27 ns
Typical Turn-Off Delay Time:30 ns
Continuous Drain Current (Id)180A
Id - Continuous Drain Current:120 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А120
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт158
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.58 mOhms

Техническая документация