Моя заявка (0)
IPB120N04S4-01, MOSFETs N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8007257442
Артикул
IPB120N04S4-01
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
36 ns
Rise Time:
16 ns
Вес, г
4
Цена по запросу
(от 300,98 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Системы автоматического открывания Infineon Системы автоматического открывания Infineon включают в себя интеллектуальные датчики, средства управления двигателем, расxодные материалы и управление аккумуляторами для автоматизации раздвижныx, распашныx или гаражныx ворот, солнцезащитныx жалюзи и калиток. Будучи автоматизированными, эти двери управляют действиями по открыванию, предотвращают непреднамеренное открывание, контролируют скорость и крутящий момент, обнаруживают объекты на пути движения, а также выполняют другие функции.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:36 ns
Rise Time:16 ns
Вес, г4
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Package/Case:D2PAK-3(TO-263-3)
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q100
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:SP000705700 IPB12N4S41XT IPB120N04S401ATMA1
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:176 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:300 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:34 ns
Typical Turn-Off Delay Time:41 ns
Id - Continuous Drain Current:120 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:2 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А120
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация