IPB117N20NFD, TO-263-3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017632014
- Артикул
- IPB117N20NFD
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- 1PCSNChannel
- Width
- 9.45mm
- Series
- OptiMOS FD
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 295,19 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
TO-263-3 МОП-транзистора ROHS
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Width | 9.45mm |
| Series | OptiMOS FD |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.93 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Корпус | TO-263 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 300W |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 300 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 87nC@10V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 6.65nF@100V |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 84A |
| Maximum Operating Temperature | +170 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 11.7 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 84 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@270uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 300 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 11.7mΩ@84A, 10V |