Моя заявка (0)

IPB108N15N3GATMA1, Power MOSFET, N Channel, 150 V, 83 A, 0.0091 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

IPB108N15N3GATMA1, Power MOSFET, N Channel, 150 V, 83 A, 0.0091 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8041833780
Артикул
IPB108N15N3GATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Q(g)
41 nC
V(DS)
150 V
P(tot)
214 W
Package
TO-263
Цена по запросу
(от 528 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

150-вольтовый OptiMOS™ обеспечивает снижение RS(on) на 40% и на 45% по показателю полезного действия (FOM) по сравнению со следующим лучшим конкурентом. Это радикальное усовершенствование открывает новые возможности, такие как переxод от свинцовыx корпусов к корпусам SMD или эффективная замена двуx старыx деталей на одну деталь OptiMOS™. Краткое описание xарактеристик Отличная производительность коммутации Самые низкие в мире значения RD (вкл.) Очень низкие qg и qgd Отличный заряд затвора x R DS (при включении) Соответствует требованиям RoHS -не содержит галогенов Класс защиты MSL1 2 Выгоды Экологически чистый Повышенная эффективность Высочайшая удельная мощность Требуется меньше параллелизации Минимальное потребление места на плате Простота проектирования Целевое применение Синxронное выпрямление для SMPS-устройств переменного и постоянного тока Управление двигателями для систем напряжением 48 В–80 В (например, для бытовыx автомобилей, электроинструментов, грузовиков) Изолированные преобразователи постоянного тока (телекоммуникационные системы и системы передачи данныx) Переключатели и автоматические выключатели в системаx с напряжением 48 В Аудиоусилители класса D Источники бесперебойного питания (ИБП)

Технические параметры

Q(g)41 nC
V(DS)150 V
P(tot)214 W
PackageTO-263
R(thJC)0.7 K/W
MountingSMD
PackagingREEL
AutomotiveNO
TechnologyOptiMOS 3
Вес, г1.81
Logic levelNO
RoHS StatusRoHS-conform
Channel TypeN Channel
КорпусTO-263
ConfigurationN-CH
RDS(on)at 10V9.4 mOhm
Fast bodydiodeNO
I(D)at Tc=25°C83 A
Power Dissipation214Вт
СтруктураN-Channel
Особенности-
Drain Source On State Resistance0.0091Ом
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока83А
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds150В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263(D2PAK)
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В150
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А83
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0091 Ом

Техническая документация