IPB108N15N3 G, MOSFETs N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061463054
- Артикул
- IPB108N15N3 G
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- RoHS
- Details
- Brand
- Infineon Technologies
- Width
- 9.25 mm
- Height
- 4.4 mm
Цена по запросу
(от 415,93 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Infineon Technologies |
| Width | 9.25 mm |
| Height | 4.4 mm |
| Length | 10 mm |
| Series | OptiMOS 3 |
| Fall Time | 9 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 35 ns |
| Tradename | OptiMOS |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 10 mm |
| Серия | OptiMOS 3 |
| Unit Weight | 0.139332 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Infineon |
| Высота | 4.4 mm |
| Ширина | 9.25 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-263-3 |
| Part # Aliases | IPB108N15N3GATMA1 IPB108N15N3GXT SP000677862 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 41 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 9 ns |
| Pd - Power Dissipation | 214 W |
| Power Dissipation (Pd) | 214W |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 17 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 32 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Id - Continuous Drain Current | 83 A |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Forward Transconductance - Min | 94 S |
| Qg - заряд затвора | 41 nC |
| Время нарастания | 35 ns |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 10.8 mOhms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 150 V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 214 W |
| Другие названия товара № | SP000677862 IPB18N15N3GXT IPB108N15N3GATMA1 |
| Id - непрерывный ток утечки | 83 A |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 10.8 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 32 ns |
| Типичное время задержки при включении | 17 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 94 S |