IPB107N20N3G, MOSFET силовой модуль
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024743465
- Артикул
- IPB107N20N3G
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 9.45mm
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- OptiMOS
- Тип
- MOSFET
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IPB107N20N3GATMA1 от INFINEON – это высокопроизводительный N-MOSFET, предназначенный для SMD монтажа. С отличными характеристиками тока стока 88 А и напряжения сток-исток в 200 В, этот компонент обеспечивает надежную работу при мощности до 300 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,0107 Ом, что гарантирует эффективную проводимость и минимизацию потерь энергии. Упакованный в надежный корпус PG-TO263-3, IPB107N20N3GATMA1 идеален для широкого спектра электронных применений, где требуется высокая мощность и эффективность. Используйте код IPB107N20N3GATMA1 для поиска этого полевого транзистора в нашем каталоге и убедитесь в его качестве и производительности. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 88 Напряжение сток-исток, В 200 Мощность, Вт 300 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.0107 Корпус PG-TO263-3
Технические параметры
| Width | 9.45mm |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS |
| Тип | MOSFET |
| Series: | OptiMOS 3 |
| Military | No |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 11 ns |
| Rise Time: | 26 ns |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 1.59 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Part # Aliases: | IPB107N20N3 G SP000676406 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-300 Вт |
| Описание | 200V, 88A N-Channel MOSFET |
| Упаковка | REEL, 1000 шт. |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 65 nC |
| Process Technology | OptiMOS |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-3В |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 300 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 300 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 18 ns |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 41 ns |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
| Id - Continuous Drain Current: | 88 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 71 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 11 mΩ |
| Максимальный ток | коллектора(Iк max)-88 А |
| Тип проводимости | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 88 A |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 300000 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 65 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 65@10V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10.7 mOhms |
| Заряд затвора, нКл | 65 |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 200 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 88 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 5340@100V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 10.7@10V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 300 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 9.6 |