Моя заявка (0)

N-Channel MOSFET, 166 A, 120 V PG-TO263-3-2 IPB100N12S305ATMA1

N-Channel MOSFET, 166 A, 120 V PG-TO263-3-2 IPB100N12S305ATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030973765
Артикул
IPB100N12S305ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
1
Channel Type
N
Package Type
PG-TO263-3-2
Mounting Type
SMD
Цена по запросу
(от 860,57 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой транзистор Infineon OptiMOS-T работает в N-канальном режиме повышения нормального уровня. Его рабочая температура составляет 175°C.

Технические параметры

Вес, г1
Channel TypeN
Package TypePG-TO263-3-2
Mounting TypeSMD
Power Dissipation300Вт
СтруктураN-Channel
Особенности-
КвалификацияAEC-Q101
Maximum Drain Source Voltage120 V
Drain Source On State Resistance0.004Ом
Maximum Continuous Drain Current166 A
Линейка ПродукцииOptiMOS-T
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока100А
Рассеиваемая Мощность300Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds120В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263(D2PAK)
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В120
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.004Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А166
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация