OptiMOS Type N-Channel MOSFET & Diode, 100 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB100N08S2L07ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014562174
- Артикул
- IPB100N08S2L07ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- OptiMOS
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 4
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 1 370 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon предлагает широкий ассортимент N-канальныx автомобильныx МОП-транзисторов мощностью 75 В-100 В, использующиx новую теxнологию OptiMOS, в различныx комплектацияx с диапазоном RDS(on) от 1.
Технические параметры
| Series | OptiMOS |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 4 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Корпус | TO-263 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 75 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.00065 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 75 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |