Моя заявка (0)

IPB100N08S207ATMA1, Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

IPB100N08S207ATMA1, Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001293209
Артикул
IPB100N08S207ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Tab
Tab
PPAP
Unknown
SVHC
Yes
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 539 ₽)
Минимальный заказ: 152 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 75V 100A Автомобильный AEC-Q101 3-контактный(2+Tab) D2PAK T/R

Технические параметры

TabTab
PPAPUnknown
SVHCYes
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveYes
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed2
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Package Width9.25
Package Length10
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageD2PAK
Process TechnologyOptiMOS
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO-263
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)30
Typical Rise Time (ns)51
Особенностиавтомобильные приложения
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)300000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)144
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)144@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)26
Maximum Drain Source Voltage (V)75
Typical Turn-Off Delay Time (ns)61
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)100
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)4700@25V
Maximum Drain Source Resistance (MOhm)6.8@10V
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)400
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А207
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация