OptiMOS™ N-Channel MOSFET, 100 A, 55 V, 3-Pin D2PAK IPB100N06S2L05ATMA2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8021971042
- Артикул
- IPB100N06S2L05ATMA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- OptiMOS
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 1 070,23 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный МОП-транзистор серии Infineon OptiMOS в корпусе D2-PAK. Он обладает преимуществами высочайшей пропускной способности по току, наименьшими потерями мощности при переключении и проводимости, что обеспечивает высочайшую тепловую эффективность, а также надежными корпусами с превосxодным качеством и безотказностью.
Технические параметры
| Series | OptiMOS |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Power Dissipation (Pd) | 300W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 230nC@10V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 5.66nF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 100A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0044 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.0032Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Непрерывный Ток Стока | 100А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.6В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 55В |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 300 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |