Моя заявка (0)

IPB100N06S2L05ATMA2, Trans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

IPB100N06S2L05ATMA2, Trans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002222713
Артикул
IPB100N06S2L05ATMA2
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
OptiMOS
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 770 ₽)
Минимальный заказ: 40 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный МОП-транзистор серии Infineon OptiMOS в корпусе D2-PAK. Он обладает преимуществами высочайшей пропускной способности по току, наименьшими потерями мощности при переключении и проводимости, что обеспечивает высочайшую тепловую эффективность, а также надежными корпусами с превосxодным качеством и безотказностью.

Технические параметры

SeriesOptiMOS
Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeD2PAK(TO-263)
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Power Dissipation (Pd)300W
Особенностиавтомобильные приложения
Total Gate Charge (Qg@Vgs)230nC@10V
Number of Elements per Chip1
Input Capacitance (Ciss@Vds)5.66nF@25V
Maximum Drain Source Voltage55 V
Continuous Drain Current (Id)100A
Maximum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Drain Source Resistance0.0044 Ω
Drain Source On State Resistance0.0032Ом
Maximum Continuous Drain Current100 A
Количество Выводов3вывод(-ов)
Непрерывный Ток Стока100А
Пороговое Напряжение Vgs1.6В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds55В
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт300
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация