IPB100N04S4H2ATMA1, TO-263-3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070064646
- Артикул
- IPB100N04S4H2ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 21 ns
- Rise Time:
- 13 ns
- Вес, г
- 1.79
Цена по запросу
(от 237,83 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 20 В до 40 В Infineon Technologies Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 20 В до 40 В соответствуют стандарту AEC-Q101 для применения в автомобилестроении и доступны в широком диапазоне типов корпусов, включая D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) и SSO8 (TDSON-8). Эти МОП-транзисторы предназначены для широкого спектра применений, включая управление электродвигателями EPS, 3-фазными двигателями и двигателями с Н-образным мостом, управление вентиляторами ОВКВ и электрическими насосами в сочетании с ШИМ-управлением.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 21 ns |
| Rise Time: | 13 ns |
| Вес, г | 1.79 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | PG-TO263-3-2 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IPB100N04S4-H2 SP000711274 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 90 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Pd - Power Dissipation: | 115 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 18 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 19 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.1 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |