Моя заявка (0)

IPB090N06N3GATMA1, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

IPB090N06N3GATMA1, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8336847357
Артикул
IPB090N06N3GATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
2
Корпус
TO-263
Структура
N-Channel
Особенности
-
Цена по запросу
(от 218 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой IPB090N06N3GATMA1 от известного производителя INFINEON представляет собой мощный N-MOSFET компонент, рассчитанный на монтаж SMD. Он способен выдерживать ток стока до 50 А при напряжении сток-исток 60 В и обладает высокой мощностью в 71 Вт. Отличается низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,009 Ом, что обеспечивает высокую эффективность и снижение тепловых потерь. Корпус PG-TO263-3 обеспечивает надежную интеграцию в самые разнообразные электронные устройства. Идеальный выбор для разработчиков, ищущих компромисс между мощностью и эффективностью. Приобретите IPB090N06N3GATMA1 для повышения производительности ваших электронных проектов. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 50 Напряжение сток-исток, В 60 Мощность, Вт 71 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.009 Корпус PG-TO263-3

Технические параметры

Вес, г2
КорпусTO-263
СтруктураN-Channel
Особенности-
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А50
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.007 Ом

Техническая документация