Моя заявка (0)

IPB081N06L3GATMA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой

IPB081N06L3GATMA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070076920
Артикул
IPB081N06L3GATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Q(g)
22 nC
V(DS)
60 V
Width
9.45mm
P(tot)
79 W
Цена по запросу
(от 173,20 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Продукция OptiMOS™ выпускается в высокопроизводительныx комплектацияx для решения самыx сложныx задач, обеспечивая полную гибкость в условияx ограниченного пространства.

Технические параметры

Q(g)22 nC
V(DS)60 V
Width9.45mm
P(tot)79 W
SeriesOptiMOS 3
PackageD2PAK
R(thJC)1.9 K/W
FET TypeN-Channel
MountingSMD
PackagingREEL
Pin Count3
Vgs (Max)±20V
AutomotiveNO
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1.1
Logic levelYES
RoHS StatusRoHS-conform
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeD2PAK(TO-263)
ConfigurationN-CH
Mounting TypeSurface Mount
RDS(on)at 10V8.1 mOhm
Fast bodydiodeNO
Package / CaseTO-263-3, D2PAK(2 Leads+Tab), TO-263AB
I(D)at Tc=25°C50 A
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 34µA
Transistor MaterialSi
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max)79W(Tc)
Supplier Device PackagePG-TO263-3
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation79 W
Typical Gate Charge @ Vgs22 nC @ 4.5 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29 nC @ 4.5 V
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Maximum Gate Threshold Voltage2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage1.2V
Maximum Drain Source Resistance8.1 mΩ
Maximum Continuous Drain Current50 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4900 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A(Tc)

Техническая документация