IPB073N15N5ATMA1, Транзистор N-МОП, полевой, 150 В 114 А 214 Вт PG-TO263-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070071110
- Артикул
- IPB073N15N5ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- RoHS
- Details
- Brand
- Infineon Technologies
- Width
- 9.25 mm
- Height
- 4.4 mm
Цена по запросу
(от 569 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
IPB073N15N5, SP001180660 • Силовой транзистор OptiMOS™ 5 • Превосxодное устройство для контроля заряда затвора (FOM) • Очень низкое сопротивление RDS (on) • Очень низкий уровень заряда для обратного восстановления (Qrr) • Рабочая температура 175°C • Соответствует требованиям JEDEC для целевого применения • Идеально подxодит для высокочастотной коммутации и синxронного выпрямления • Не содержит галогенов в соответствии с IEC61249-2-21
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Infineon Technologies |
| Width | 9.25 mm |
| Height | 4.4 mm |
| Length | 10 mm |
| Series | OptiMOS™ 5 |
| Fall Time | 4 ns |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 4 ns |
| Tradename | OptiMOS |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1.99 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | Infineon |
| Package Type | TO 263 |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-263-3 |
| Part # Aliases | IPB073N15N5 SP001180660 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 61 nC |
| Power Dissipation | 214Вт |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Pd - Power Dissipation | 214 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 14 ns |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 20 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Id - Continuous Drain Current | 114 A |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 46 S |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.6V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0073 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.0056Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 114 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 5.6 mOhms |
| Линейка Продукции | OptiMOS 5 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 150 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Непрерывный Ток Стока | 114А |
| Рассеиваемая Мощность | 214Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.8В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 150В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0056Ом |