IPB072N15N3G, Транзистор, N-MOSFET, 150В, 100А, 300Вт, 0.0072Ом [TO-263.]
![IPB072N15N3G, Транзистор, N-MOSFET, 150В, 100А, 300Вт, 0.0072Ом [TO-263.]](https://static.epl-electro.ru/lib/047/DOC012047822.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000662338
- Артикул
- IPB072N15N3G
- PartNumber
- IPB072N15N3GATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 2.5
- Корпус
- TO-263-3
- Крутизна характеристики, S
- 65 s
- Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
- 300
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Производитель: Infineon Категория продукта: МОП-транзистор Технология: Si Вид монтажа: SMD/SMT Упаковка / блок: TO-263-3 Полярность транзистора: N-Channel Количество каналов: 1 Channel Vds - напряжение пробоя сток-исток: 150 V Id - непрерывный ток утечки: 100 A Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 5.8 mOhms Vgs - напряжение затвор-исток: - 20 V, + 20 V Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 2 V Qg - заряд затвора: 93 nC Минимальная рабочая температура: - 55 C Максимальная рабочая температура: + 175 C Pd - рассеивание мощности: 300 W Канальный режим: Enhancement Упаковка: Cut Tape Упаковка: MouseReel Упаковка: Reel Конфигурация: Single Высота: 4.4 mm Длина: 10 mm Тип транзистора: 1 N-Channel Ширина: 9.25 mm Торговая марка: Infineon Technologies Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 65 S Время спада: 14 ns Тип продукта: MOSFET Время нарастания: 35 ns Подкатегория: MOSFETs Типичное время задержки выключения: 46 ns Типичное время задержки при включении: 25 ns Другие названия товара №: IPB072N15N3 G SP000386664 Вес изделия: 4 g
Технические параметры
| Вес, г | 2.5 |
| Корпус | TO-263-3 |
| Крутизна характеристики, S | 65 s |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 300 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |