Моя заявка (0)
IPB068N20NM6ATMA1, MOSFETs IFX FET 150 - 400V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8029139872
Артикул
IPB068N20NM6ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
13
Цена по запросу
(от 827,68 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 200 В 15,4 А (Ta), 134 А (Tc), 3,8 Вт (Ta), 300 Вт (Tc) для поверxностного монтажа PG-TO263-3-2

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г13
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-263-3, D2PAK(2 Leads+Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 258µA
СтруктураMOSFET
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.3mOhm @ 100A, 15V
Особенностивысоковольтный
Power Dissipation (Max)3.8W(Ta), 300W(Tc)
Supplier Device PackagePG-TO263-3-2
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7400 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15.4A(Ta), 134A(Tc)
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация