OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 130 A, 150 V, 7-Pin D2PAK-7 IPB065N15N3GATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8219536036
- Артикул
- IPB065N15N3GATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 4.57mm
- Series
- OptiMOS 3
- Pin Count
- 7
- Вес, г
- 2
Цена по запросу
(от 1 490 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon предлагает большой и всесторонний ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает семейства CoolMOS, OptiMOS и StrongIRFET.
Технические параметры
| Width | 4.57mm |
| Series | OptiMOS 3 |
| Pin Count | 7 |
| Вес, г | 2 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK-7 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | низковольтные mosfets для сильноточных применений |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 300 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Drain Source Resistance | 6.8 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 130 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 130 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 300 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |