Моя заявка (0)

IPB065N03LGATMA1, Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

IPB065N03LGATMA1, Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001294142
Артикул
IPB065N03LGATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Tab
Tab
PPAP
No
SVHC
Yes
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 119 ₽)
Минимальный заказ: 631 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 30V 50A 3-контактный (2+Tab) D2PAK T/R

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
SVHCYes
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed2
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Package Width9.45(Max)
Package Length10.31(Max)
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageD2PAK
Process TechnologyOptiMOS
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO-263
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)3.4
Typical Rise Time (ns)4.2
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)56000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)20
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)20@10V|11@4.5V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)5.5
Maximum Drain-Source Voltage (V)30
Typical Turn-Off Delay Time (ns)21
Maximum Gate Threshold Voltage (V)2.2
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)50
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1800@15V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)6.5@10V
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А50
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±16В

Техническая документация