Моя заявка (0)

iPB Type N-Channel MOSFET, 136 A, 150 V N, 7-Pin TO-263 IPB060N15N5ATMA1

iPB Type N-Channel MOSFET, 136 A, 150 V N, 7-Pin TO-263 IPB060N15N5ATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030973764
Артикул
IPB060N15N5ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
1
Channel Type
N
Package Type
PG-TO263-7
Mounting Type
SMD
Цена по запросу
(от 1 245,06 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы Infineon OptiMOS 5 мощностью 150 В от Infineon особенно подxодят для низковольтныx приводов, такиx как вилочные погрузчики и электроскутеры, а также для телекоммуникационныx и солнечныx систем.

Технические параметры

Вес, г1
Channel TypeN
Package TypePG-TO263-7
Mounting TypeSMD
Power Dissipation250Вт
СтруктураN-Channel
Особенности-
Maximum Drain Source Voltage150 V
Drain Source On State Resistance0.0048Ом
Maximum Continuous Drain Current136 A
Линейка ПродукцииOptiMOS 5
Количество Выводов7вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока136А
Рассеиваемая Мощность250Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3.8В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds150В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263(D2PAK)
Пороговое напряжение на затворе4.6V@180uA
Максимальная Рабочая Температура175 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В150
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0048Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А136
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)6mΩ@68A, 10V

Техническая документация