Моя заявка (0)

IPB057N06NATMA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 60В, 45А, 83Вт, PG-TO263-3

IPB057N06NATMA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 60В, 45А, 83Вт, PG-TO263-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070089534
Артикул
IPB057N06NATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
7 ns
Rise Time:
12 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 246,24 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Зарядные устройства и адаптеры USB-C Infineon Technologies предлагает полупроводниковые приборы, изготовленные по индивидуальному заказу с учетом приоритетов клиентов - цена/производительность в сочетании со сверxвысокой плотностью энергопотребления. Ассортимент включает в себя всю линейку продуктов с интерфейсом USB-C, начиная от высоковольтныx выключателей питания и заканчивая ШИМ-контроллерами, контроллерами USB-C для подачи питания, а также устройствами защиты от электростатического разряда.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:7 ns
Rise Time:12 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Package/Case:D2PAK-3(TO-263-3)
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:IPB057N06N SP000962140
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:32 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1000
Pd - Power Dissipation:83 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:12 ns
Typical Turn-Off Delay Time:20 ns
Id - Continuous Drain Current:45 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:36 S
Rds On - Drain-Source Resistance:4.9 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.1 V

Техническая документация