Моя заявка (0)

IPB054N06N3GATMA1, Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

IPB054N06N3GATMA1, Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001293673
Артикул
IPB054N06N3GATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
1
Структура
N-Channel
Особенности
-
Пороговое напряжение на затворе
2…4 В
Цена по запросу
(от 261 ₽)
Минимальный заказ: 292 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой IPB054N06N3GATMA1 от известного производителя INFINEON – это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для SMD монтажа. Данный транзистор имеет ток стока 80 А и напряжение сток-исток 60 В, что обеспечивает надежную работу в схемах с повышенными нагрузками. Мощность устройства составляет 115 Вт, а сопротивление в открытом состоянии – всего 0,0054 Ом, что говорит о его высокой эффективности. Корпус PG-TO263-3 гарантирует удобство установки. Применение транзистора IPB054N06N3GATMA1 обеспечит высокую производительность и долговременную надежность ваших электронных проектов. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 80 Напряжение сток-исток, В 60 Мощность, Вт 115 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.0054 Корпус PG-TO263-3

Технические параметры

Вес, г1
СтруктураN-Channel
Особенности-
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А80
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В