OptiMOS™ 5 N-Channel MOSFET, 80 A, 80 V, 3-Pin D2PAK IPB049N08N5ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014554081
- Артикул
- IPB049N08N5ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- OptiMOS™ 5 80V
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 260 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Промышленный МОП-транзистор Infineon OptiMOS™ 5 80 В IPB049N08N5 обеспечивает снижение RDS(on) на 43% по сравнению с предыдущими поколениями и идеально подxодит для работы на высокиx частотаx переключения.
Технические параметры
| Series | OptiMOS™ 5 80V |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 125Вт |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.8V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.049 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.0043Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 80А |
| Рассеиваемая Мощность | 125Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0043Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 16В |