Моя заявка (0)

IPB042N10N3GATMA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 100В, 100А, 214Вт, Ugs ±20В

IPB042N10N3GATMA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 100В, 100А, 214Вт, Ugs ±20В

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070071095
Артикул
IPB042N10N3GATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Q(g)
88 nC
V(DS)
100 V
P(tot)
214 W
Package
D2PAK
Цена по запросу
(от 348,48 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой IPB042N10N3GATMA1 производства INFINEON – это высокомощный N-MOSFET компонент, предназначенный для SMD-монтажа. Этот транзистор отличается током стока в 100 А и напряжением сток-исток в 100 В, что обеспечивает его применение в различных сферах мощной электроники. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,0042 Ом, что свидетельствует о высокой эффективности устройства. Мощность транзистора достигает 214 Вт, что позволяет использовать его в высоконагруженных электрических цепях. Корпус PG-TO263-3 обеспечивает надежную работу и удобство монтажа. Приобретите IPB042N10N3GATMA1 для уверенной работы ваших электронных проектов. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 100 Напряжение сток-исток, В 100 Мощность, Вт 214 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.0042 Корпус PG-TO263-3

Технические параметры

Q(g)88 nC
V(DS)100 V
P(tot)214 W
PackageD2PAK
R(thJC)0.7 K/W
MountingSMD
PackagingREEL
AutomotiveNO
Вес, г1.92
Logic levelNO
RoHS StatusRoHS-conform
Channel TypeN
Package TypePG-TO252-3
ConfigurationN-CH
Mounting TypeSurface Mount
RDS(on)at 10V4.2 mOhm
Fast bodydiodeNO
I(D)at Tc=25°C100 A
Maximum Drain Source Voltage100 V
Maximum Continuous Drain Current137 A

Техническая документация