IPB042N10N3G, 100V 137A 4.2mOhm@10V,100A 214W 3.5V@150uA N Channel TO-263-2 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017594045
- Артикул
- IPB042N10N3G
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 14 ns
- Rise Time:
- 59 ns
- Вес, г
- 0.32
Цена по запросу
(от 104,32 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
100 В 137 А 4.2mOhm@10V,100 214 Вт 3.5V@150uA 1шт-канальный TO-263-2 МОП-транзистора ROHS
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 14 ns |
| Rise Time: | 59 ns |
| Вес, г | 0.32 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | TO-263 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IPB42N1N3GXT SP000446880 IPB042N10N3GATMA1 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 88 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 214 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 27 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 48 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 73 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.2 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 137 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 214 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.2мОм |