Моя заявка (0)

IPB038N12N3GATMA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 120В, 120А, 300Вт, Ugs ±20В

IPB038N12N3GATMA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 120В, 120А, 300Вт, Ugs ±20В

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8022464520
Артикул
IPB038N12N3GATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
2.5
Длина
10 mm
Серия
OptiMOS 3
Channel Type
N
Цена по запросу
(от 540 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

Технические параметры

Вес, г2.5
Длина10 mm
СерияOptiMOS 3
Channel TypeN
Package TypePG-TO263-3
Высота4.4 mm
Ширина9.25 mm
Mounting TypeSurface Mount
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада21 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTO-263-3
Maximum Drain Source Voltage120 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора211 nC
Время нарастания52 ns
Maximum Continuous Drain Current120 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности300 W
Другие названия товара №IPB038N12N3 G SP000694160
Id - непрерывный ток утечки120 A
Коммерческое обозначениеOptiMOS
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток3.2 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток120 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения70 ns
Типичное время задержки при включении35 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.83 S

Техническая документация