IPB038N12N3 G, MOSFETs N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004635510
- Артикул
- IPB038N12N3 G
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 4
- Длина
- 10 mm
- Серия
- OptiMOS 3
- Высота
- 4.4 mm
Цена по запросу
(от 627,03 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
Технические параметры
| Вес, г | 4 |
| Длина | 10 mm |
| Серия | OptiMOS 3 |
| Высота | 4.4 mm |
| Ширина | 9.25 mm |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 21 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 211 nC |
| Время нарастания | 52 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 300 W |
| Другие названия товара № | IPB038N12N3GATMA1 IPB38N12N3GXT SP000694160 |
| Id - непрерывный ток утечки | 120 A |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.2 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 120 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 70 ns |
| Типичное время задержки при включении | 35 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 120 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 120 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 83 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |