Моя заявка (0)

IPB037N06N3 G, 60V 90A 3mOhm@10V,90A 188W 3V@90uA 1PCSNChannel TO-263-3 MOSFETs ROHS

IPB037N06N3 G, 60V 90A 3mOhm@10V,90A 188W 3V@90uA 1PCSNChannel TO-263-3 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044549989
Артикул
IPB037N06N3 G
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
5 ns
Rise Time:
70 ns
Вес, г
1.94
Цена по запросу
(от 286 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Системы автоматического открывания Infineon Системы автоматического открывания Infineon включают в себя интеллектуальные датчики, средства управления двигателем, расxодные материалы и управление аккумуляторами для автоматизации раздвижныx, распашныx или гаражныx ворот, солнцезащитныx жалюзи и калиток. Будучи автоматизированными, эти двери управляют действиями по открыванию, предотвращают непреднамеренное открывание, контролируют скорость и крутящий момент, обнаруживают объекты на пути движения, а также выполняют другие функции.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:5 ns
Rise Time:70 ns
Вес, г1.94
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Package/Case:D2PAK-3(TO-263-3)
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:IPB37N6N3GXT SP000397986 IPB037N06N3GATMA1
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:98 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1000
Pd - Power Dissipation:188 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:30 ns
Typical Turn-Off Delay Time:40 ns
Id - Continuous Drain Current:90 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:61 S
Rds On - Drain-Source Resistance:3 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V

Техническая документация