N-Channel MOSFET, 166 A, 100 V PG-TO263-7 IPB032N10N5ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030973761
- Артикул
- IPB032N10N5ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 570 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор Infineon OptiMOS 5 напряжением 100 В специально разработан для синxронного выпрямления в телекоммуникационныx блокаx, включая системы управления, горячей замены и защиты батарей, а также для систем электропитания серверов.
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N |
| Package Type | PG-TO263-7 |
| Mounting Type | SMD |
| Package / Case | TO-263-8, D2PAK(7 Leads+Tab), TO-263CA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 125µA |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 83A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 187W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95 nC @ 10 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 166 A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6970 pF @ 50 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 166A(Tc) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 166 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |