Моя заявка (0)

IPB031NE7N3GATMA1, Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

IPB031NE7N3GATMA1, Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001293946
Артикул
IPB031NE7N3GATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Tab
Tab
PPAP
Unknown
SVHC
Yes
Category
Power MOSFET
Цена по запросу
(от 460 ₽)
Минимальный заказ: 178 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 75V 100A 3-контактный (2+Tab) D2PAK T/R

Технические параметры

TabTab
PPAPUnknown
SVHCYes
CategoryPower MOSFET
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveYes
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed2
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Package Width9.45(Max)
Package Length10.31(Max)
Supplier PackageD2PAK
Standard Package NameTO
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)10
Typical Rise Time (ns)85
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)214000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)88
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)88@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)16
Maximum Drain-Source Voltage (V)75
Typical Turn-Off Delay Time (ns)40
Maximum Gate Threshold Voltage (V)3.8
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)100
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)6110@37.5V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)3.1@10V
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)400
Typical Drain-Source Resistance @ 25°C (mOhm)2.7@10V

Техническая документация