OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 120 A, 80 V, 3-Pin D2PAK IPB031N08N5ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014562172
- Артикул
- IPB031N08N5ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- OptiMOS 3
- FET Type
- N-Channel
- Pin Count
- 3
- Vgs (Max)
- ±20V
Цена по запросу
(от 624,10 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Промышленный MOSFET Infineon OptiMOS 5 80 В IPB031N08N5 обеспечивает снижение RDS(on) на 43% по сравнению с предыдущими поколениями и идеально подxодит для работы на высокиx частотаx переключения.
Технические параметры
| Series | OptiMOS 3 |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 4 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D2PAK(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 108µA |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1mOhm @ 100A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 167W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87 nC @ 10 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.8V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0031 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 120 A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6240 pF @ 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A(Tc) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 120 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 167 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |