OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin D2PAK IPB029N06N3GATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8010431948
- Артикул
- IPB029N06N3GATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Width
- 9.45mm
- Series
- OptiMOS 3
- FET Type
- N-Channel
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 490 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Продукция OptiMOS™ выпускается в высокопроизводительныx комплектацияx для решения самыx сложныx задач, обеспечивая полную гибкость в условияx ограниченного пространства.
Технические параметры
| Width | 9.45mm |
| Series | OptiMOS 3 |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 9 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D2PAK(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Power Dissipation | 188Вт |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 118µA |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9mOhm @ 100A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 188W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 188 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 124 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 165 nC @ 10 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.2 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.0023Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 120 A |
| Линейка Продукции | OptiMOS 3 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13000 pF @ 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A(Tc) |
| Непрерывный Ток Стока | 120А |
| Рассеиваемая Мощность | 188Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0023Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 120 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |