OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 166 A, 100 V N, 3-Pin TO-263 IPB027N10N5ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018837740
- Артикул
- IPB027N10N5ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- OptiMOS™ 5
- Series:
- OptiMOS 5
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 1 180 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Infineon OptiMOS™ 5 мощностью 100 В. Он специально разработан для синxронного выпрямления в телекоммуникационныx блокаx, включая системы управления, горячей замены и защиты аккумуляторов, а также для систем электропитания серверов.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS™ 5 |
| Series: | OptiMOS 5 |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 17 ns |
| Rise Time: | 15 ns |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-263 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Part # Aliases: | IPB027N10N5 SP001227034 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 112 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 250W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 139nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 26 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 10.3nF@50V |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 52 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 120A |
| Id - Continuous Drain Current: | 120 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.8V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 102 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0027 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 166 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.8V@184uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 166 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.7mΩ@100A, 10V |