iPB Type N-Channel MOSFET, 162 A, 100 V P TO-263 IPB026N10NF2SATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030974808
- Артикул
- IPB026N10NF2SATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N
- Package Type
- PG-TO263-3
- Корпус
- TO-263
Цена по запросу
(от 610 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Infineon StrongIRFET 2 оптимизированы для широкого спектра применений, такиx как SMPS, электропривод, питание от батарей, управление аккумуляторами, ИБП и легкие электромобили.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N |
| Package Type | PG-TO263-3 |
| Корпус | TO-263 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 250Вт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | - |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Drain Source On State Resistance | 0.0022Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 162 A |
| Линейка Продукции | StronglRFET Series |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 162А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.8В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 162 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |