IPB026N06NATMA1, Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001355755
- Артикул
- IPB026N06NATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 56 nC
- V(DS)
- 60 V
- P(tot)
- 136 W
- Package
- D2PAK
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой IPB026N06NATMA1 производства INFINEON – это высокопроизводительный N-MOSFET компонент, предназначенный для SMD-монтажа. С током стока в 100 А и напряжением сток-исток 60 В, он обеспечивает отличную производительность в самых требовательных применениях. Мощность устройства составляет 136 Вт, что говорит о его способности справляться с большими нагрузками, а сопротивление в открытом состоянии всего 0,0026 Ом свидетельствует о высокой эффективности и минимальных потерях мощности. Корпус PG-TO263-3 обеспечивает удобную интеграцию в электронные схемы. Транзистор IPB026N06NATMA1 от INFINEON – идеальный выбор для разработки энергоэффективных и надежных электронных устройств. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 100 Напряжение сток-исток, В 60 Мощность, Вт 136 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.0026 Корпус PG-TO263-3
Технические параметры
| Q(g) | 56 nC |
| V(DS) | 60 V |
| P(tot) | 136 W |
| Package | D2PAK |
| R(thJC) | 1.1 K/W |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Automotive | NO |
| Technology | OptiMOS |
| Вес, г | 1 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Type | N |
| Package Type | PG-TO263-3 |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 2.3 mOhm |
| Fast bodydiode | YES |
| I(D)at Tc=25°C | 100 A |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | - |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |