Моя заявка (0)

IPB025N08N3GATMA1, Power MOSFET, N Channel, 80 V, 120 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

IPB025N08N3GATMA1, Power MOSFET, N Channel, 80 V, 120 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8178789804
Артикул
IPB025N08N3GATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
2
Корпус
TO-263
Структура
N-Channel
Особенности
-
Цена по запросу
(от 777 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г2
КорпусTO-263
СтруктураN-Channel
Особенности-
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А120
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт300
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.002 Ом

Техническая документация