Моя заявка (0)

IPB024N08NF2SATMA1, Power MOSFET, N Channel, 80 V, 161 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

IPB024N08NF2SATMA1, Power MOSFET, N Channel, 80 V, 161 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8016044060
Артикул
IPB024N08NF2SATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
1.75
Channel Type
N Channel
Package Type
PG-TO263-3
Корпус
TO-263
Цена по запросу
(от 427 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Infineon StrongIRFET 2 оптимизированы для широкого спектра применений, такиx как SMPS, электропривод, питание от батарей, управление аккумуляторами, ИБП и легкие электромобили.

Технические параметры

Вес, г1.75
Channel TypeN Channel
Package TypePG-TO263-3
КорпусTO-263
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation150Вт
СтруктураN-Channel
Особенности-
Maximum Drain Source Voltage80 V
Drain Source On State Resistance0.002Ом
Maximum Continuous Drain Current161 A
Линейка ПродукцииStronglRFET Series
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока161А
Пороговое Напряжение Vgs3.8В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds80В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263(D2PAK)
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А161
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.002 Ом

Техническая документация